Описание
P-Channel  Enhancement  Mode  Field  Effect  Transistor,  Vds=30V,  Id=4,1A,  Pd=1,4W,  Rds(on)=52  mOhm

Наименование  прибора:  AO3407

Маркировка:  A79TF_X7*_A7

Тип  транзистора:  MOSFET

Полярность:  P

Максимальная  рассеиваемая  мощность  (Pd):  1.4  W

Предельно  допустимое  напряжение  сток-исток  |Uds|:  30  V

Предельно  допустимое  напряжение  затвор-исток  |Ugs|:  20  V

Пороговое  напряжение  включения  |Ugs(th)|:  2.5  V

Максимально  допустимый  постоянный  ток  стока  |Id|:  5.3  A

Максимальная  температура  канала  (Tj):  150  °C

Общий  заряд  затвора  (Qg):  9.2  nC

Время  нарастания  (tr):  2.33  ns

Выходная  емкость  (Cd):  90  pf

Сопротивление  сток-исток  открытого  транзистора  (Rds):  0.0645  Ohm

Тип  корпуса:  SOT23