Описание
Мощные  БТИЗ  (IGBT)  транзисторы  MBQ50T65FESC  являются  оригиналами.  Поставляются  напрямую  с  производственных  линий  MagnaChip.

Рассчитаны  на  напряжение  до  650В  и  ток  не  более  50А.  Корпус:  TO-247.

IGBT  транзисторы  возникли  при  совмещении  2-х  структур:  полевых  и  биполярных  транзисторов.  Как  следствие,  наделены  свойствами  и  тех,  и  других.

IGBT  транзисторы  MBQ50T65FESC  применяются  в  индукционных  печах,  инверторных  сварочных  аппаратах,  стабилизаторах  и  другой  высоковольтной  технике.

Краткие  характеристики
Полное  наименование:  MBQ50T65FESC  IGBT  транзистор
Максимальное  напряжение  VCE:  650  Вольт
Максимальный  ток  коллектора  IC:  50  Ампер  при  Тс=100°C  (100  Ампер  при  Тс=25°C)
Максимальная  мощность:  188  Ватт  Тс=100°C  (375  Ватт  при  Тс=25°C)
Максимальная  температура:  175°C
Тип  корпуса:  TO-247

Прикреплённый файл: irg4pc30u.pdf

Для того чтоб скачать файл введите в поле код из 4-х символов, отображенных в виде изображения.