•  Max.  Clock  10  MHz
•  Low-Power  CMOS  Technology:
-  Max.  Write  Current:  5  mA  at  5.5V,  10  MHz
-  Read  Current:  5  mA  at  5.5V,  10  MHz
-  Standby  Current:  1  uA  at  5.5V
•  8192  x  8-bit  Organization
•  32  Byte  Page
•  Self-Timed  Erase  and  Write  Cycles  (5  ms  max.)
•  Block  Write  Protection:
-  Protect  none,  1/4,  1/2  or  all  of  array
•  Built-In  Write  Protection:
-  Power-on/off  data  protection  circuitry
-  Write  enable  latch
-  Write-protect  pin
•  Sequential  Read
•  High  Reliability:
-  Endurance:  1,000,000  erase/write  cycles
-  Data  retention:  >  200  years
-  ESD  protection:  >  4000V