Наименование  прибора:  SSP45N20B
Тип  транзистора:  MOSFET
Полярность:  N
Максимальная  рассеиваемая  мощность  (Pd):  176  W
Предельно  допустимое  напряжение  сток-исток  (Uds):  200  V
Предельно  допустимое  напряжение  затвор-исток  (Ugs):  35  V
Пороговое  напряжение  включения  Ugs(th):  4  V
Максимально  допустимый  постоянный  ток  стока  (Id):  35  A
Максимальная  температура  канала  (Tj):  150  °C
Общий  заряд  затвора  (Qg):  133  nC
Время  нарастания  (tr):  340  ns
Выходная  емкость  (Cd):  460  pf
Сопротивление  сток-исток  открытого  транзистора  (Rds):  0.065  Ohm
Тип  корпуса:  TO-220